Перевод: с английского на русский

с русского на английский

MOS insulated-gate transistor

См. также в других словарях:

  • Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… …   Wikipedia

  • insulated-gate MOS transistor — MOP tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate MOS transistor vok. Isolierschicht MOS Transistor, m; MOS Transistor mit isoliertem Gate, m rus. МОП транзистор с изолированным затвором, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Transistor — For other uses, see Transistor (disambiguation). Assorted discrete transistors. Packages in order from top to bottom: TO 3, TO 126, TO 92, SOT 23 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. It… …   Wikipedia

  • Transistor — Quelques modèles de transistors. Le transistor est un composant électronique actif utilisé : Comme interrupteur dans les circuits logiques ; Comme amplificateur de signal ; Pour stabiliser une tension, moduler un signal ainsi que… …   Wikipédia en Français

  • MOS-Transistor mit isoliertem Gate — MOP tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate MOS transistor vok. Isolierschicht MOS Transistor, m; MOS Transistor mit isoliertem Gate, m rus. МОП транзистор с изолированным затвором, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • transistor MOS à effet de champ à grille isolée — MOP tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate MOS transistor vok. Isolierschicht MOS Transistor, m; MOS Transistor mit isoliertem Gate, m rus. МОП транзистор с изолированным затвором, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Transistor IGBT — Símbolo más extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E). El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor …   Wikipedia Español

  • Transistor de efecto campo — P channel N channel Símbolos esquemáticos para los JFETs canal n y canal p. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source). El transistor de efecto campo (Field Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores… …   Wikipedia Español

  • Field-effect transistor — FET redirects here. For other uses, see FET (disambiguation). High power N channel field effect transistor The field effect transistor (FET) is a transistor that relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a… …   Wikipedia

  • Isolierschicht-MOS-Transistor — MOP tranzistorius su izoliuota užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. insulated gate MOS transistor vok. Isolierschicht MOS Transistor, m; MOS Transistor mit isoliertem Gate, m rus. МОП транзистор с изолированным затвором, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Transistors — Transistor Le transistor est le composant électronique actif fondamental en électronique utilisé principalement comme interrupteur commandé et pour l amplification, mais aussi pour stabiliser une tension, moduler un signal ainsi que de nombreuses …   Wikipédia en Français

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»